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场效应晶体管的分类

类别:技术参数      出处:维库仪器仪表网      发布于:2018-05-21 15:29:53 | 807 次阅读

  场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

  根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种:

  ①结型场效应管(用PN结构成栅极);

  ②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统);

  ③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极);其中MOS场效应管使用广泛。尤其在大规模的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。

  在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD),它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息,控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等;配上光电二极管列阵,可用作摄像管。


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