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类别:技术参数 出处:维库仪器仪表网 发布于:2017-09-28 10:50:48 | 3877 次阅读
电力MOSFET中文名字是电力场效应管,是一种结型电力场效应晶体管,具有开关快,频率高,电流容量小,耐压低等等优点,那么它的主要参数有哪些呢,小编给大家讲解一下:
(1)漏源击穿电压UDss
UDss常为结溫在25~150℃之间时漏源极的击穿电压。该参数限制了MOSFET的工作电压,常用的MOSFET的UDSS通常在1000V以下,尤其以500V及以下器件的各项性能。需要注意的是常用的MOSFET的漏源击穿电压具有正酿系数,因此在温度低于测试条件时,UDSS值会低;于产品手册数据。
(2)漏极连续电流额定值Id和漏极脉冲电流峰值IDM
这是标称电力MOSFET电流定额的参数,一般情况下:IDM是ID的2-4倍。工作温度对器件的漏极电流影响很大,产品的生产厂商通常也会给出不同壳温下,允许的漏极连续电流变化情况。在实际器件参数计算时,必须考虑其损耗及散热情况得出壳温,由此核算它的电流定额。通常在売温为80~90℃,器件可用的连续工作电流只有Tc=25℃时 额定值Id的60%~70%。
(3)漏源通态电阻RDS(ON)
该参数是在栅源间施加一定电压 (10~15V )时,漏源间的导通电阻。漏源通态电阻RDS(on)直接影响器件的通态压降及损耗,通常额定电压低、电流大的器件RDS(on)较小。此外,RDS(on)还与驱动电压及结温有关。增大驱动电压可以减小RDS(on)。RDS (on)具有正的温度系数,随着结溫的升高而增加, 这一特性使MOSFET并联运行较为容易。
(4)栅源电压UGS
由于栅源之间的SIO2绝缘层很薄,当|UGS|>20V时将导致绝缘击穿。因此在焊接,驱动等方面必须注意。
(5)跨导Gfs
在规定的工作点下,MOSFET转移特性曲线的斜率称为该器件的跨导。即
(6)极间电容
MOSFET的3个电极之间分别存在极间电容CGS,CGD和CDS。一般生产厂商提供的是漏源极短路时的输入电容,Ciss共源极输出电容Coss和反向转移电容Crss。它们之间的关系是:
尽管电力MOSFET是用栅源间电压驱动,阻抗很高,单由于存在输入电容Ciss,开关过程中驱动电路要输入电容冲放电。这样,用作高频开关时,驱动电路必须具有很低的内阻抗及一定的驱动电流能力。
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