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类别:技术参数 发布于:2021-09-09 10:11:47 | 1295 次阅读
绝缘栅场效应管的种类较多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前应用多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管,通常用MOS表示,简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗(可达1012Ω以上),并且制造工艺比较简单,使用灵活方便,非常有利于高度集成化。
Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。
Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。
Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。
gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
BVDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM—耗散功率。是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
IDSM—漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。
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